四种新型存储领域投资要点，透析PCRAM、MRAM、ReRAM和FeRAM市场前景

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根据最近的机构研究报告，为您总结相关行业的投资要点，供参考：

PCRAM：PCRAM可能成为未来通用的新一代半导体存储器件之一，但其高敏感度、存储密度过低、高成本、低良率等问题限制了其大规模产业化。投资者需关注其技术突破和产业化进程。

MRAM：MRAM产品已进入量产，且嵌入式MRAM有望替代SRAM或eDRAM等高速缓存，进入手机SoC和CPU等产品。投资者需关注其市场应用和商业化进程。

ReRAM：ReRAM有望替代eFlash，成长空间广阔。独立式ReRAM已在工业级小容量存储得到广泛应用，并在IoT领域逐步替代NORFLASH，未来有望替代闪存进入企业级存储市场。投资者需关注其技术突破和市场应用进程。

FeRAM：FeRAM具有非易失性、读写速度快、寿命长、功耗低、可靠性高等优点，但存储密度较低，容量有限。国际厂商英飞凌、富士通等已实现FeRAM在汽车电子的应用。投资者需关注其技术突破和市场应用进程。

四种新型存储优势各异：MRAM、FeRAM持久性较高；FeRAM存储密度较低，MRAM、PCM、RRAM较高；FeRAM读写速度最快；PCM读写功耗最高，MRAM、FeRAM、RRAM均较低；除MRAM外，其他新型存储在抗辐射方面均较高。

风险提示：技术进展不及预期的风险/市场规模增速不及预期的风险。